| 型号：SI7909DN-T1-GE3 | 类别：FET - 阵列 | 制造商：Vishay Siliconix |
| 封装：PowerPAK? 1212-8 双 | 描述：MOSFET 2P-CH 12V 5.3A 1212-8 | |
详细参数
| 类别 | FET - 阵列 |
|---|---|
| 描述 | MOSFET 2P-CH 12V 5.3A 1212-8 |
| 系列 | TrenchFET® |
| 制造商 | Vishay Siliconix |
| FET型 | 2 个 P 沟道（双） |
| FET特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 12V |
| 电流_连续漏极（Id）0a025000C | 5.3A |
| 开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 37 毫欧 @ 7.7A，4.5V |
| Id时的Vgs（th）111最大222 | 1V @ 700µA |
| 闸电荷（Qg）0a0Vgs | 24nC @ 4.5V |
| 输入电容（Ciss）0a0Vds | - |
| 功率_最大 | 1.3W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | PowerPAK? 1212-8 双 |
| 供应商设备封装 | PowerPAK? 1212-8 Dual |
| 包装 | 带卷 (TR) |
供应商
| 深圳市华斯顿电子科技有限公司 | 朱咸华0755-83777708/83777607/82799993 |
| 深圳市科雨电子有限公司 | 汪小姐，15173547089，无线联通更快捷！171-4729-1886（微信同号） |
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| 北京显周科技有限公司 | 刘先生13910052844（微信同步） |
| 深圳市金嘉锐电子有限公司 | 朱先生086-0755-22929859 |
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